圖片來源：https://courses.cs.duke.edu/cps104/fall98/lectures/week10-l2/sld021.htm

1. 基本結構:

   • DRAM 是以方格的形式組織，這個方格稱為 RAM Cell Array（記憶體單元陣列）。
   • 每一個交叉點代表一個 1-Transistor DRAM 單元，也就是 1 個位元的存儲單位。

2. 位址解碼：

   • Row Address（列位址）：由 row decoder（列解碼器）選擇，確定哪一列的資料要被讀取或寫入。
   • Column Address（行位址）：由 column selector（行選擇器）選擇，確定哪一行的資料要被訪問。

3. 資料線與操作：

   • Bit (data) Lines（位元資料線）：連接每一行資料，負責傳輸每個位元的資料。
   • Word (row) Select（字選擇）：選擇特定的一列，通過這些資料線來讀取或寫入位元資料。
   • Sense-Amps（感測放大器）：檢測並放大儲存在 DRAM 單元中的信號，進行資料的讀取與傳輸。

4. 資料存取流程：

   • **Row Address（列位址）和Column Address（行位址）**共同使用，通過選擇特定的行與列來選取特定的 1 位元。
   • 這個位元的資料會通過 sense-amps 傳送並輸出。

5. 位址系統的特點：

   • Row Address 和 Column Address 是分開處理的，先選擇行，再選擇列，最終選定 1 個位元進行操作。
   • 因此，每次資料存取操作只處理一個位元。